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光刻

资料介绍
光刻
图4 3
第六章 光刻工艺

1 基本概念



1 2




存储器生产所用技术的三阶段
续
技术 紫外接触和接近
化工 >3 m (64kBit
(64kBit DRAM)
技术 深紫外Stepper,e-
Stepper,e-beam,X-
beam,X-ray systems
类型 引入叠氮化物/聚合体胶
(<0.3
(<0.3m) (1GBit
(1GBit DRAM)
特征 负性胶
化工
标签：光刻工艺，打底膜，曝光，光刻胶，感光机理
光刻
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