资料介绍
氧化§1 氧化工艺原理 一. 用途
一、用途 （？种） 1.五种用途
杂质扩散掩蔽膜a
二、氧化原理 器件表面保护或钝化膜b
三.、氧化方法（？种） 电路隔离介质或绝缘介质c
电容介质材料d
四、 质量监测（？ ）
MOS管的绝缘栅材料e
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二. 二氧化硅膜的性质 2. 二氧化硅膜的掩蔽性质
1.二氧化硅膜的化学稳定性极高，不 B、P、As等杂质在SiO2的扩散系数
溶于水，除氢氟酸外，和别的酸不 远小于在Si中的扩散系数。
起作用。氢氟酸腐蚀原理如下： Dsi > DSiO2
SiO 2 + 4 HF → SiF 4 ↑ + 2 H 2O SiO2 膜要有足够的
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