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外延

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外延
xcl




第一章 外延及CVD工艺
§1 外延工艺
一.外延工艺概述
定义:外延(epitaxy)是在单晶衬底上生长一
层单晶膜的技术。新生单晶层按衬底晶
相延伸生长，并称此为外延层。长了外
延层的衬底称为外延片。 图1－1 Si表面原子分辨图象显示出平台是由Si的
二聚物行列组成，这些二聚物行列每生长一层
则改变其取向
2003-4-28 1 2003-4-28 2




(a)
CVD:Chemical Vapor Deposition
晶体结构良好
标签：外延工艺，CVD，硅气相，HCI，腐蚀工艺，掺杂，分子束，MBE，GaAs，缺陷，漂移，CMOS
外延
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