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《扩散工艺》作业

资料介绍
《扩散工艺》作业
第二章《扩散工艺》作业

1、1000℃时在硅片中进行磷的预淀积扩散,直到磷的固溶度极限。扩散时间为
20 分钟。预淀积后,硅片表面被密封并在 1100℃下做推进扩散。为获得 4.0μm
的结深,推进时间应为多少?假设衬底浓度为 1017 cm-3。推进后表面浓度是多
21 -14
少?(已知 1000℃时磷在硅中的固溶度为 10 cm-3,磷的扩散系数为 1.39×10

2 -13 2
cm /s,1100℃时磷的扩散系数为 1.56×10 cm /s )

2、已知某硼扩散工艺中先进行 950℃,11 分钟预淀积扩散;再进行 1180℃,40
分钟推进扩散。请问,在该工艺中,对硼起掩蔽作用所需的最小氧化层厚度为
-17
多少埃(保留整数)?(已知 950℃时硼在SiO2中的扩散系数为 10 cm2/s ;1180

-15 2
℃时硼在SiO2中的扩散系数为 4×10 cm /s )

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标签:扩散工艺习题
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