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> M1 1200 V SiC MOSFET特性及驱动建议
M1 1200 V SiC MOSFET特性及驱动建议
上传用户:
EEPW
上传日期:2022-09-02
文件类型:PDF
文件大小:3213.39K
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资料介绍
本白皮书介绍安森美(onsemi)的M1 1200 V SiC MOSFET的关键静态特性和动态特性,及在应用设计中如何配合使用其独特的SiC门极驱动器NCP51705,以最少的外部器件实现极高的能效和可靠性。
标签:
onsemi
,
安森美
,
,
能源基础设施
,
MOSFET
,
SiC
,
门极驱动器
,
NCP51705
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