资料介绍
在多年研究和设计之后，碳化硅 (SiC) 功率器件正迅速被各种功率电子应用所采用。从硅基转向碳化硅，正从底层推动着新节能设计的发展。
与硅 IGBTs 和 MOSFETs 相比，SiC 效率更高，开关速度更快，同时改善了热性能，进而提高了功率密度，降低了系统成本。
SiC 正在应用到功率更高、电压更高的设计中，比如电动汽车 (EV) 中的马达驱动器、电动汽车快速充电桩、车载和非车载充电器、风能和太阳能逆电器和工控电源。
作为技术成熟的标志，JEDEC 标准 JC-70.2 中已经编制了 SiC 技术在电源转换设计中的实现文档，规定了 SiC 功率电子转换半导体标准和测试方法。
技术成熟的另一个标志，是许多 SiC FET 供应商推出了先进的评测电路板，比如 Wolfspeed WolfPACKKIT-CRD-CIL12N-FMC。这些电路板用来表征动态性能，测量定时、速度、开关损耗，并针对不同应用来调谐门驱动器条件。
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