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ASC30N650MT4

资料介绍
SIC MOSFET是新兴起的第三代半导体材料，是一种宽禁带半导体（禁带宽度＞2eV，而SI禁带宽度仅为1.12eV），因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点
标签：车载OBC，动力电池化成分容充放电检测仪，双向DCDC（LLC，移相全桥，DAB），混合动力汽车HEV，EV，逆变器，充电机DCDC总成，功率因数校正模块；，电机驱，BMS
ASC30N650MT4
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