资料介绍
很多大学把这本书最为教材使用，比较好的一本书，拼凑的成分很少，比较实用，学工艺的同学们上眼啊!
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描述：不仅详细介绍了与硅超大规模集成电路芯片生产制造相关的实际工艺技术，而且还着得讲解了这些工艺技术背后的科学工艺过程的物理图像化妆品是与人们生活密切相关的精细化学品。本书可作为涂料研究、开发人员的工具书，亦可作为高校相关专业师生的参考书同时全书还对每一步单项工艺技术所要用到的测量方法做了详细的介绍，对于工艺技术与工艺模型的未来发展趋势也做了必要的分析讨论。仅详细介绍了与硅超大规模集成电路芯片生产制造相关的实际工艺技术，而且还着得讲解了这些工艺技术背后的科学工艺过程的物理图像化妆品是与人们生活密切相关的精细化学品。本书可作为涂料研究、开发人员的工具书，亦可作为高校相关专业师生的参考书同时全书还对每一步单项工艺技术所要用到的测量方法做了详细的介绍，对于工艺技术与工艺模型的未来发展趋势也做了必要的分析讨论。
目录：前言.第一章硅的晶体结构1.1硅晶体结构的特点1.2晶向、晶面和堆积模型1.3硅晶体中的缺陷1.4硅中杂质1.5杂质在硅晶体中溶解度参考文献第二章氧化2.1SiO2的结构及性质2.2SiO2的掩蔽作用2.3硅的热氧化生长动力学2.4硅的热氧化生长动力学2.5
决定氧化过程中的杂质再分布2.6初始氧化阶段以及薄氧化层的生长2.7Si-SiO2界面特性参考文献第三章扩散3.1杂质扩散机构
.3.2扩散系数与扩散方程3.3扩散杂质的分布3.4影响杂质分布的其他因素3.5扩散工艺3.6扩散工艺的发展参考文献第四章
离子注入4.1核碰撞和电子碰撞4.2注入离子在无定形靶中的分布4.3注入损伤4.4热退火参考文献第五章物理气相淀积5.1真空蒸发法制备薄的基本原理5.2蒸发源5.3气体辉光放电5.4溅射参考文献第六章化学气相淀积6.1CVD模型6.2化学气相淀积系统6.3
CVD多晶硅的特性和淀积方法6.4CVD二氧化硅的特性和淀积方法6.5CVD氮化硅的特性及淀积方法6.6金属的化学气相淀积参考文献第七章外延7.1硅气相外延的基本原理..7.2外延层中的杂质分布7.3低压外延7.4选择外延7.5硅烷热分解法外延7.6。。。。。。
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