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同步整流升压电路中整流管的衬底电位控制

资料介绍
在同步整流DC-DC升压电路中,电路从启动到稳定的过程中,功率整流PMOS管的源端电位有时大于漏端电位,有时小于漏端电位,而PMOS管的衬底电位一般应接在源/漏电位中较大者一端.针对这个问题提出了两种解决方法,通过比较分析,采用相对简单的电路很好地解决了以上问题.


同当整流升压电路巾整流管的衬底电位控制
曾子玉,邹雪城,孔令荣
(华中科技大学电子科学与技术系,湖北武汉430074)

摘 要:在同步整流DC―DC升压电路中,电路从启动到稳定的过程中,功率整流PMOS管的源端
电位有时大于漏端电位,有时小于漏端电位,而PMOS管的衬底电位一般应接在源/漏电位中较大者
一端。针对这个问题提出了两种解决方法,通过比较分析,采用相对简单的电路很好地解决了以上问
题。
关键词:同步整流升压电路衬底电位控制


当今的电源管理芯片正朝着高集成度、低功耗、抗 充电。电流的方向为yIN―y鲫一I,0Ur,显然有yIN>y哪>yOUr。
干扰的方向发展。而能源短缺问题的日益加剧使节能和 (2)正常开关工作阶段
提高效率成为电源管理领域永恒的话题。同步整流技术 在这个阶段,电路有两种工作状态:

的出现极大地满足了高集成度、低功耗和高效率的设计 ①充电阶段:即M1导通、M2截止,yzw通过Ml对电
要求。所谓同步整流,是指用通态电阻极低的功率 感L充电。电流的方向为yIN―ysW―GND,有y娜=0<yoUr。
MOSFET取代肖特基整流二极管。这不仅提高了集成 ②放电阶段:即M1截止、M2导通,电感L……
同步整流升压电路中整流管的衬底电位控制
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