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LLC电路采用氮化镓MOSFET大大提高效率

资料介绍
现在有cool-MOSFET,但依然存在着不足,虽然Rds(on)很小了,但死区时间较大。开关周期中体内寄生的二极管
存有损耗。使得效率无法进一步提高。同时由于硅材料的物理特性,高压MOSFET工作频率很难再提高,正常超过150K HZ
MOSFET的损耗会成倍地加大。
新型MOSFET采用的是氮化镓材质,在体内没有寄生二极管。同时氮化镓MOSFET的体内寄生参数相对COOL-MOSFET来说小很多
不管是结电容还是门极驱动电荷Qg,均不是一个级别的小。
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LLC电路采用氮化镓MOSFET大大提高效率
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