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氮化镓MOSFET介绍

资料介绍
氮化镓MOSFET 高频高效率
硅材料MOSFET/ Cool Mos 氮化镓材料MOSFET -HEMT




氮化镓无体内二极管
但有二极管特性
MOSFET发热源: 氮化镓MOS发热源:

1,Rds(on)损耗, 1,Rds(on)损耗

2, 开关损耗, 几乎没有开关损耗和反向续流二极
管损耗.因体内没有二极管,但有二极




97 m
3,体内二极管反向续流损耗, 管的特性
4,死区损耗. 超低的结电容保证较小的死区损耗.




75 .co
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硅 VS 氮化镓




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