片状多层陶瓷电容器的封装方法

片状多层陶瓷电容器的封装方法
片状多层陶瓷电容器的封装方法
随着以片状多层陶瓷电容器为首的电子元器件的快速小型化发展，尺寸也进行了如下变化：
size (EIA) 3216(1206)→2012(0805)→1608(0603)→1005(0402)→0603(0201)→0402(01005)*，对于封装的难度
也在不断增加。

* size (EIA)
3216(1206)：3.2mm×1.6mm／2012(0805)：2.0.mm×1.2mm／1608(0603)：1.6mm×0.8mm／
1005(0402)：1.0mm×0.5mm／0603(0201)：0.6mm×0.3mm／0402(01005)：0.4mm×0.2mm



如图1所示，封装工艺中产生的问题主要有元器件位置偏移、翘立，竖立等形式。这种整个元件呈斜立或
直立，如石碑状，人们形象地称之为"立碑"现象 ( 也有人称之为"曼哈顿"现象 ) 。




图1 封装过程中的问题



以下就立碑现象的成因与防止对策要点进行介绍说明。

如图2所示，立碑现象的产生是由于在焊锡时，作用于元件左右电极的张力不平衡，一侧翘立并旋转而造
成的。




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zb@awnatech.com 13632701009 朱先生
 图2 立碑现象的成因




造成张力不平衡的因素有很多，例如：左右的焊盘尺寸、焊锡厚度 、温度、贴装偏移等。如何有