资料介绍
本篇论文的主要目的是来论证一种为高速开关应用而设计高性能栅极驱动电路的系统研究方法。
摘要
各级的电力电子工程师对它都应该感兴趣??
对最流行电路解决方案和他们的性能进行了分析，这包括寄生部分的影响、瞬态的??
论然后再到复杂问题的分析。仔细描述了设计过程中关于接地和高边栅极驱动电路、AC
MOSFET是Metal Oxide Semiconductor Field Effect
”功率晶体管??
200皮秒，但这个时间和器件的尺寸大小有关。与双极结型晶体管相比，MOSFET在数字技
用中MOSFET使用比较方便。MOSFET更加容易被驱动，这是因为它的控制极和电流传导??
，温度升高将会使源漏极间电阻变大，增大的电阻又会使电流减小，因此管子的温度又
源漏极导通电阻的初始值和有不同温度特性的结电阻在均分电流时将会引起较大的误差
器件类型
如在微型电源或在隔离转换同步整流器中。由于横向功率MOSFET有着相当小的电容，因
场效应晶体管模型
Saber）模型，但是这些模型很少告诉使用者在实际使用中的陷阱。他们甚至很少提供在
功率MOSFET由于生产工艺的提高减小了基极和发射极的电阻，因此，实际上对dv/dt诱发
寄生npn晶体管导通是有免疫的。必须指出的是，寄生性双极晶体管还扮演着另一个重??
型中。它们对器件的开关过程的影响将在下一章中讨论??
MOSFET的重要参??
极管间的电容??
（是非线性的）的电容；二是JFET区域和栅极的重叠。等效电容CGD是器件漏源极电压??
函数，大致可用下面公式计算得到：
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