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ESD物理失效分析及放电路径研究

资料介绍
ESD物理失效分析及放电路径研究,希望对您有所帮助
  电 子 测 量 技 术 第 30 卷 第 3 期
研究设计  EL EC TRON IC M EA SU R EM EN T T EC HNOL O GY 2007 年 3 月  




ESD 的物理失效分析及放电路径的研究
邱 亮 张之圣
( 天津大学电子信息工程学院  天津  300072)


摘 要 : 本文将 IC 电过力失效机理划分为 EOS 和 ESD 分别进行阐述 , EOS 和 ESD 2 种失效模式的相似使得对它们
失效机理的判断变得困难 ,但借助 SEM 和 FIB 等先进的成像设备可以揭示 2 种失效机理的重要差别 。本文先通过实
例分析揭示了 2 种失效机理的差别 ,其中从理论角度突出对 ESD 失效机理和失效位置的研究 ; 然后 ,借助仪器分析的
结果对 ESD 失效案例的 ESD 放电路径做了合理推断 ,这种通过失效分析推断放电路径的方法对于改善 ESD 保护电
路性能和提高 ESD 防护等级有着重要参考作用 。
关键词 : 电过力 ; 静电放电 ; 失效分析 ; 失效机理 ; PN 结退化
中图分类号 : TN956 文献标识码 : A


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标签:ESD'放电
ESD物理失效分析及放电路径研究
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