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半导体简化直接变频设计

资料介绍
直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G)无线网络中的多模式和多标准要求,随之要求能够处理全球400MHz至4 GHz范围内的信号,因而基础设施和移动设备开发商寻求系统器件达到新的性能水平。幸运的是,随着硅锗(SiGe)和CMOS半导体工艺的不断改进,集成度得以提高,同时功耗有所下降。利用直接变频架构,无线电设计人员还能够实现较宽的设计频率范围,并可在单个硬件平台上调整带宽。与无线基站的传统IF采样接收机方法相比,该架构具有许多优点,并结合平衡防阻塞的RF解调器和模数转换器(ADC)技术的优势,利用自适应性校正技术来处理残余信号损坏。
(Eb/No)和其他噪声贡献余量。3G LTE标准要求至少 60dB的总

半导体简化直接变频设计 镜像抑制性能。此外,在指定解调器本振(LO)相位噪声时,还
必须考虑到宽带接收机中相互混频这一重要现象。LO相位噪
声会对附近的未滤波阻塞进行调制,向所需通道中增加
随着半导体工艺的不断进步,集成电路得以具备无线基础设施直接变
Pblocker_dBm - LO_Noise dBc/Hz噪声。
频接收机所需的性能,能够满足多模式通信系统的需求。
直接变频信号链(图 1)可以为 3G和 4G系统提供低成本的接
作者:Cecile Masse
收机解决方案。其架构没有其他接收机复杂,并且无需实中频
直接变频架构促使着宽带无线电支持第三代(3G)和第四代(4G) 采样架构中使用的多个表面声波(SAW……
标签:半导体变频
半导体简化直接变频设计
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