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EMI控制技術
EMI控制技術
現有的系統級EMI控制技術包括：1.將電路封閉在一個FARADAY（法拉第）盒中（注意
包含電路的機械封裝應該密封）來實現EMI遮罩；2.在電路板或者系統的I/O埠採取濾波
和衰減技術來實現EMI控制；3.實現電路的電場和磁場的嚴格遮罩，或者在電路板上採取
適當的設計技術嚴格控制PCB走線和電路板層（自遮罩）的電容和電感，從而改善EMI性
能。
一般來說，越接近EMI源，實現EMI控制所需的成本就月小。PCB的積體電路晶片是EM
I最主要的能量來源，因此如果能夠深入瞭解積體電路晶片的內部特徵，可以簡化PCB和
系統級設計中的EMI控制。
EMI的來源
數位積體電路從邏輯高到邏輯低之間的轉換或者從邏輯低到邏輯高之間的轉換過程，
輸出端產生的方波信號頻率並不是導致EMI的唯一頻率成分。該方波中包含頻率範圍寬廣
的正弦諧波分量，這些正弦諧波分量構成工程師所關心的EMI頻率成分。最高的EMI頻率
也稱為EMI發射帶寬，它是信號上升時間而不是信號頻率的函數。計算EMI發射帶寬的公
式為：
F=0.35/Tr，其中：F是頻率，單位是GHz；Tr是單位為ns（納秒）的信號上升時間或
者下降時間。
從上述公式不難看出，如果電路的開關頻率為50MHz，而採用的積體電路晶片的上升
時間是1ns，那麼該電路的最高EMI發射頻率將達到350MHz
，遠遠大於該電路的開關頻率。而如果IC的上升時間為500ps，那麼該電路的最高EMI發
射頻率將高達700
MHz。眾所周知，電路中的每一個電壓值都對應一定的電流，同樣每一個電流都存在對應
的電壓。當IC的輸出在邏輯高到邏輯低或者邏輯低到邏輯高之間變換時，這些信號電壓
和信號電流就會產生電場和磁場，而這些電場和磁場的最高頻率就發射帶寬。
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