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半導體奈米製程 迎戰新High k/ Low K材料技術

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半導體奈米製程 迎戰新材料技術
半導體奈米製程 迎戰新High k/ Low K材料技術 | |
|李佳玲/DIGITIMES |
|2008/03/03 |
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|半導體製程技術進步,慣以摩爾定律(Moore's |
|Law)經驗法則來推進計算,就摩爾定律延伸,IC技術每隔1年半就會推進1個世代,IC產量就 |
|可增加1倍,這也使得IC產品得以持續降低成本,增加產品功能。每往前一個製程世代推進,|
|也代表著半導體產業能夠持續開發出更多更廣的積體電路元件產品,從支援個人電腦、行動 |
|電話、網際網路、GPS、無線通訊等各種電子產品應用。 |
|隨著晶片技術進步,讓大眾得以享受科技帶來的便利生活,當然,能夠體現成本更低、功能 |
|更優越的晶片,除了製程每代演進時程的快速推進,半導體材料的更替亦是關鍵,為走在半 |
|導體界先端,各家業者更是強調標榜各種新材質、新製程謂晶片帶來的各式效益。 |
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|電腦晶片的組成元件—電晶體,以二氧化矽作為電晶體閘極介電質技
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半導體奈米製程 迎戰新High k/ Low K材料技術
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