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第十二章 GTL电流方式分析
第十二章 GTL电流方式分析
网络南研所 余昌盛
14.1 GTL操作基础
GTL（Gunning Tranceiver
Logic）总线技术在工业上被广泛应用在个人计算机领域，尤其在处理器和芯片组之间的
前端总线。在以后的发展中，这种技术被Intel和TI公司通过提高电压摆幅进一步发展为
GTL+/GTLP标准，随后，这种标准被TI和Fairchild公司用来设计优秀的背板驱动器件。
GTL是一种低电压摆幅（<1V），漏极开路（open-
drain）MOS电路或集电极开路(open-
collector)双极型电路。在JEDEC标准里允许在点到点传输中比TTL更高的操作频率和在
存储器总线接口中更轻的负载。降低电压摆幅减小了EMI和允许更高的工作频率。为了更
好的信号完整性，漏极开路输出/集电极开路输出使终端电阻RTT与线阻抗Z0更容易匹配
。如图1，当输出级导通时，open-drain/open-
collector下拉信号到低电平，当输出级关断时，上拉电阻把信号上拉到VTT电压的高电
平。GTL标准是VTT/VOH=1.2V，VOL=0。4V并且VIH和VIL设置到GTL差分输入参考电压VRE
F=0.8V电压的+/-50mV。
[pic]
图1 GTL Open-Drain/Collector Differential输入器件
open-drain对应于CMOS晶体管，open-
collector对应于双极型晶体管。GTL器件能够使用其中的任何一种工艺加工，应用最多
的是漏极开路MOS电路。
图2中对部分电路的输入和输出电平作了比较
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