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国外集成电路命名方法

资料介绍
国外集成电路命名方法
国外集成电路命名方法

|国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法 |
| |
|缩写字符:AMD 译名:先进微器件公司(美) |


器件型号举例说明 
|AM |29L509|P |C |B | |
|ANA首标 |器件 |附加说明 |温度范围 |封装形式 |筛选水 |
| | | | | |平 |
|AD:模拟|编号 |A:第二代产品|I、J、K、L |D:陶瓷或金属 |MIL-STD|
|器件 | |; |、M: |气 |- |
|HA:混合|  |DI:介质隔离 |(0-70)℃;|密双列封装 |883B级 |
| | |产 | | |。 |
|A/D; |  |品; |A、B、C: |(多层陶瓷);|  |
|HD:混合|  |Z:工作在+12V|(-25-85)℃|E:芯片载体; |  |
| | | |; | | |
|D/A。 ……
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