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关于旁路电容的深度研讨(转载的)非本人作品

资料介绍
关于旁路电容的深度研讨通过一次关于基本知识的对话, 让我们深入考察那没有什么魅力但是极其关键的旁路电容和 去耦电容。 编辑引言:旁路电容是关注度低、没有什么魅力的元器件,一般来说,在许多专题特写中不 把它作为主题,但是,它对于成功、可靠和无差错的设计是关键。来自 Intersil 公司的作者 David Ritter 和 Tamara Schmitz 参加了关于该主题的进一步对话。本文是对话的第一部分。 Dave 和 Tamara 信仰辩论的价值、教育的价值以及谦虚地深入讨论核心问题的价值;简而言 之,为了获取知识而展开对一个问题的讨论。下面请“聆听”并学习。

David: 有一种观念认为,当我们做旁路设计时,我们对低频成分要采用大电容(微法级),而 对高频成分要采用小电容(纳法或皮法级)。

Tamara: 我赞成,那有什么错吗?

David: 那听起来很好并且是有意义的,但是,问题在于当我在实验室中验证那个规则时并 未得到我们想要的结果!我要向您发出挑战,Tamara 博士。

Tamara: 好啊!我无所畏惧。

David: 让我们看看,你有一个电压调整器并且它需要电源。电源线具有一些串联阻抗(通常 是电感以及电阻),这样对于短路来说,它在瞬间提供的电流就不会出现大变化。它需要有 一个局部电容供电,如图 1 所示

图 1:旁路电容的功能。

Tamara: 我到目前均赞成你的观点。那就是旁路的定义。Dave,接着说吧。

David: 例如,有些人可能用 0.1 μF 电容进行旁路。他们也可能用一个 1000pF 的电容紧挨 着它以处理更高的频率。如果我们已经采用了一个 0.1 μF 的电容,那么,紧挨着它加一个 1000pF 电容就没有意义。它会增加 1%的容值,谁会在意?

Tamara: 然而,除了电容值之外,有更多要研究的内容。这两种数值的电容均不理想。

David: ……
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