一些关于ESD的国内文章

2004中科院半导体所－SOI集成电路的ESD保护技术研究进展第 34 卷第 5 期
2004 年 10 月

微 电 子 学
M icroelectron ics

V o l134, № 5 O ct 12004

文章编号: 100423365 ( 2004) 0520497204

SO I 集成电路的 ESD 保护技术研究进展
姜　凡, 刘忠立
( 中国科学院　半导体研究所, 北京 100083)

　 摘　要: 　近年来, 随着 SO I 技术的快速发展, SO I 集成电路的 ESD 保护已成为一个主要的可靠性 设计问题。介绍了 SO I ESD 保护器件方面的最新进展, 阐述了在 SO I ESD 保护器件设计和优化中 出现的新问题, 并进行了详细的讨论。 关键词: 　静电保护; SO I; 集成电路; 可靠性 中图分类号: 　TN 406 文献标识码: 　A 　

Progress in ESD Protection Technology for SO I In tegra ted C ircu its
JI AN G Fan, L I U Zhong 2li
( Institu te of S em icond uctor , T he C h inese A cad em y of S ciences, B eij ing 100083, P 1 R 1 C h ina )

　
Abstract: 　W ith the rap id developm en t of SO I techno logy in recen t yea rs, electro sta tic d ischa rge (ESD ) ha s be2
cam e a m a jo r concern fo r reliab ility of SO I in teg ra ted circu its1 T he developm en t