一些关于ESD的国内文章

2003微电子学-西电-深亚微米CMOS IC抗噪声ESD保护电路的设计第 33 卷第 5 期
2003 年 10 月

微 电 子 学
M icroelectron ics

V o l133, № 5 O ct 12003

文章编号: 100423365 ( 2003) 0520439204

深亚微米 CMO S IC 抗噪声 ESD 保护电路的设计
陈　曦1 , 庄奕琪1 , 罗宏伟2 , 胡　净1 , 韩孝勇1
( 11 西安电子科技大学　微电子学研究所, 陕西　西安　710071; 21 信息产业部　电子第五研究所, 广东　广州　510610)

　 摘　要: 　CM O S 工艺技术缩小到深亚微米阶段, 电路的静电 ( ESD ) 保护能力受到了更大的限制。 因此, 需要采取更加有效并且可靠的静电放电保护设计。 文章提出了一种新型的 ESD 保护电路, 以 LV T SCR 结构为基础, 结合栅耦合技术以及抗噪声干扰技术。 这种新型电路即使被意外触发也不 会引起闩锁效应, 提高了 ESD 保护电路的可靠性, 实现了全芯片保护。 关键词: 　CM O S; 深亚微米; 集成电路; 静电放电; LV T SCR; 可靠性设计; 抗噪声 中图分类号: 　TN 432 文献标识码: 　A 　

A No ise I mm une ESD Protection C ircu it for D eep Subm icron CMOS IC’ s
1 1 2 1 1 CH EN X i , ZHU AN G Y i2qi , LU O Hong 2 w ei , HU J ing , HAN X iao 2yong

(11 M icroelectronics Institu te, X id ian U niversity , X i’ an, S haanx i 710071, P 1 R 1 Ch ina; 21T he 5 th In