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ESD 保护元件的对比分析及大电流性能鉴定

资料介绍
ESD 保护元件的对比分析及大电流性能鉴定ESD 保护元件的对比分析及大电流性能鉴定
在人们的日常工作生活中,静电放电(ESD)现象可谓无处不在,瞬间产生的上升时间低于 纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流,会对手机、笔记本电脑等电子 系统造成损伤。 对于电子系统设计人员而言,如果没有采取适当的 ESD 保护措施,所设计的电子产品就 会有遭到损伤的可能。因此,电子系统设计中的一项重要课题便是确保使其能够承受 ESD 的冲击,并继续正常工作。 ESD 保护方法 为了给电子系统提供 ESD 保护,可以从不同的角度来着手。一种方法是在半导体芯片内 建 ESD 保护架构。不过,日趋缩小的 CMOS 芯片已经越来越不足以承受进行内部 2 kV 等级的 ESD 保护所需要的面积。安森美半导体标准产品部亚太区市场营销副总裁麦满权 指出:真正有效的 ESD 保护是不能完全集成到 CMOS 芯片之中的! 其次,也可以在物理电路设计方面下功夫,较敏感的电路元件应该尽量远离通孔或接缝 处,如果可能的话,线缆连接器的接地应该要在系统信号引脚接触前先连接到系统的接 地,通过这样的方式,线缆上所发生的放电事件就比较不会造成干扰或破坏。 此外,软件也能够为 ESD 设计作出贡献。系统连接的感测器比较容易受到 ESD 的冲击, 造成接口电路的锁住情况,而能够感测锁住情况的软件则可以用来重置接口电路且无须操 作人员的接入。 不过,总是有部分电路点较为敏感,同 时也很难与外部隔离。因此,最有效的 方法是使用保护元件来将电流导离较敏 感的元件。也就是在电子系统的连接器 或端口处放置 ESD 保护元件,使得电流 流经保护元件,且不流经敏感元件,以 维持敏感元件的低电压,使其免受 ESD 应力影响,进入有效控制 ESD 事件的发 生,如图 1 所示。当然,合格的 ESD 元 件必须具有低泄漏和低电容,且在多重 应力作用下功能不下降,从而不……
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