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杨继深老师EMC讲座资料200页

资料介绍
第三章 电磁屏蔽(yang)第三章电磁屏蔽与搭接
屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计

杨继深 2005年12月 电话 010-68386283
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电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2

对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽 , 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量 :
杨继深 电话 010-68386283

SE = 20 lg( E / E ) 1 2 2005年12月

dB

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实心材料屏蔽效能的计算
入射波

SE = R1 + R2 + A+B = R+ A+B

场强

B
吸收损耗A R1 R2

杨继深 2005年12月 电话 010-68386283
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距离

反射损耗的产生
感应电流 反射场

入射场

杨继深 2005年12月 电话 010-68386283
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反射损耗
远场:377

R = 20lg

ZW 4 Zs

近场:取决于源的阻抗

ZS = 3.68 ×10-7√ f r/σr

同一种材料的阻 抗随频率变

反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越 大。
杨继深 2005年12月 电话 010-68386283
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不同电磁波的反射损耗
远场: 电场: 磁场: 377 R = 20lg 4 Zs R = 20lg 4500 D f Zs R = 20……
标签:第三电磁屏蔽
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