资料介绍
第三章 电磁屏蔽(yang)第三章电磁屏蔽与搭接
屏蔽材料的选择 实际屏蔽体的设计
杨继深 2005年12月 电话 010-68386283
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电磁屏蔽
屏蔽前的场强E1 屏蔽后的场强E2
对电磁波产生衰减的作用就是电磁屏蔽 , 电磁屏蔽作用的大小用屏蔽效能度量 :
杨继深 电话 010-68386283
SE = 20 lg( E / E ) 1 2 2005年12月
dB
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实心材料屏蔽效能的计算
入射波
SE = R1 + R2 + A+B = R+ A+B
场强
B
吸收损耗A R1 R2
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距离
反射损耗的产生
感应电流 反射场
入射场
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反射损耗
远场:377
R = 20lg
ZW 4 Zs
近场:取决于源的阻抗
ZS = 3.68 ×10-7√ f r/σr
同一种材料的阻 抗随频率变
反射损耗与波阻抗有关,波阻抗越高,则反射损耗越 大。
杨继深 2005年12月 电话 010-68386283
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不同电磁波的反射损耗
远场: 电场: 磁场: 377 R = 20lg 4 Zs R = 20lg 4500 D f Zs R = 20