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RCD吸收电路的设计.doc

资料介绍
RCD吸收电路的设计
RCD吸收电路的设计(开关电源)
对于一位开关电源工程师来说,在一对或多对相互对立的条件面前做出选择,那是常有
的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。(即要限制主MOS管最大反
峰,又要RCD吸收回路功耗最小)
在讨论前我们先做几个假设,
① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ;
② RCD中的二极管正向导通时间很短(一般为几十纳秒);
③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管,输出线路的参数已经完全确定。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算:
一﹑首先对MOS管的VD进行分段:
ⅰ,输入的直流电压VDC;
ⅱ,次级反射初级的VOR;
ⅲ,主MOS管VD余量VDS;
ⅳ,RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算:
ⅰ,输入的直流电压VDC。
在计算VDC时,是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V,即DC375V。
   VDC=VAC *√2
ⅱ,次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的,如输出电压为:5.0V±5%(
依Vo
=5.25V计算),二极管VF为0.525V(此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值).

VOR=(VF +Vo)*Np/Ns
ⅲ,主MOS管VD的余量VDS.
VDS是依MOS管VD的10%为最小值.如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V.
VDS=VD* 10%
ⅳ,RCD吸收VRCD.
MOS管的VD减去ⅰ,ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%(这里
主要是考虑到开关电源各个元件的分散性,温度漂移和时间飘移等因素得影响)。
VRCD=(VD-VDC -VDS)*90%
注意:① VRCD是计算出理论值,再通过实验进行调整,使得实际值与理论值相吻合.
②……
标签:吸收电路的设
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