资料介绍
RCD吸收电路的设计
RCD吸收电路的设计（开关电源）
对于一位开关电源工程师来说，在一对或多对相互对立的条件面前做出选择，那是常有
的事。而我们今天讨论的这个话题就是一对相互对立的条件。（即要限制主MOS管最大反
峰，又要RCD吸收回路功耗最小）
在讨论前我们先做几个假设，
① 开关电源的工作频率范围:20~200KHZ；
② RCD中的二极管正向导通时间很短（一般为几十纳秒）；
③ 在调整RCD回路前主变压器和MOS管，输出线路的参数已经完全确定。
有了以上几个假设我们就可以先进行计算：
一﹑首先对MOS管的VD进行分段：
ⅰ，输入的直流电压VDC；
ⅱ，次级反射初级的VOR；
ⅲ，主MOS管VD余量VDS；
ⅳ，RCD吸收有效电压VRCD1。
二﹑对于以上主MOS管VD的几部分进行计算：
ⅰ，输入的直流电压VDC。
在计算VDC时，是依最高输入电压值为准。如宽电压应选择AC265V，即DC375V。
VDC＝VAC *√2
ⅱ，次级反射初级的VOR。
VOR是依在次级输出最高电压,整流二极管压降最大时计算的，如输出电压为：5.0V±5%（
依Vo
=5.25V计算），二极管VF为0.525V（此值是在1N5822的资料中查找额定电流下VF值）．
VOR＝(VF +Vo)*Np/Ns
ⅲ，主MOS管VD的余量VDS．
VDS是依MOS管VD的10%为最小值．如KA05H0165R的VD=650应选择DC65V．
VDS＝VD* 10%
ⅳ，RCD吸收VRCD．
MOS管的VD减去ⅰ，ⅲ三项就剩下VRCD的最大值。实际选取的VRCD应为最大值的90%（这里
主要是考虑到开关电源各个元件的分散性，温度漂移和时间飘移等因素得影响）。
VRCD＝(VD-VDC -VDS)*90%
注意：① VRCD是计算出理论值，再通过实验进行调整，使得实际值与理论值相吻合．
②
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