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CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计维普资讯 http://www.cqvip.com
电 子 产 品 可 靠 性 与 环 境 试 验
Ｏ ｃ ｔ ． ２ Ｏ Ｏ ４ Ｎ ｏ ５
Ｃ ＭＯ Ｓ 集成 电路 中电源和地之间的 Ｅ Ｓ Ｄ保护电路设计
姚 维 连 ．孙 伟 锋 ．吴 建辉
（ 东 南 大 学 国 家 专 用 集 成 电路 系统 丁 程技 术 研 究 中心 ，江 苏 南京 ２ １ ０ ０ ９ ６ ）
摘 要 ：讨论了３种常用的 Ｃ Ｍ Ｏ Ｓ 集成电路电源和地之间的 Ｅ Ｓ Ｄ保护电路，分别介绍了它们的电路结构以
及设计考 虑 ，并用 Ｈ ｓ ｐ ｉ ｃ ｅ对 其中利用 晶体管延 时的 电源和地 的保护 电路在 Ｅ ｓ Ｄ脉 冲和正 常工作两 种情况下 的工作进行 了模 拟验证 。结论证 明 ：在 Ｅ Ｓ Ｄ脉 冲下 ，该保护 电路 的导 通时间为 ３ ８ ０ ｎ ｓ ；在正 常工作时 。该 保 护 电路不会 导通 ，因此这种利用 晶体管延时的保护 电路 完全可以作为 Ｃ ＭＯ Ｓ集成 电路 电源 和地 之间的 Ｅ Ｓ Ｄ保
护 电路 。
关 键词 ：互补型金属氧化物集成电路；静电放电；保护电路；电源和地
中图分类号 ：Ｔ Ｎ ４ ３ ２
文献标识码 ：Ａ
文章编号 ：ｌ ６ ７ ２ ― ５ ４ ６ ８（ ２ ０ ０ ４ ）０ ５ ― ０ ｏ ｌ ２ ― ｏ ４
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