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ESD刚下的论文

资料介绍
CMOS集成电路中电源和地之间的ESD保护电路设计维普资讯 http://www.cqvip.com

电 子 产 品 可 靠 性 与 环 境 试 验 

O c t . 2 O O 4   N o   5  

C MO S 集成 电路 中电源和地之间的 E S D保护电路设计 
姚 维 连 .孙 伟 锋 .吴 建辉 
( 东 南 大 学 国 家 专 用 集 成 电路 系统 丁 程技 术 研 究 中心 ,江 苏 南京 2 1 0 0 9 6 )  

摘  要 :讨论了3种常用的 C M O S 集成电路电源和地之间的 E S D保护电路,分别介绍了它们的电路结构以  
及设计考 虑 ,并用 H s p i c e对 其中利用 晶体管延 时的 电源和地 的保护 电路在 E s D脉 冲和正 常工作两 种情况下  的工作进行 了模 拟验证 。结论证 明 :在 E S D脉 冲下 ,该保护 电路 的导 通时间为 3 8 0   n s ;在正 常工作时 。该 保  护 电路不会 导通 ,因此这种利用 晶体管延时的保护 电路 完全可以作为 C MO S集成 电路 电源 和地 之间的 E S D保 
护 电路 。  

关 键词 :互补型金属氧化物集成电路;静电放电;保护电路;电源和地 

中图分类号 :T N   4 3 2  

文献标识码 :A  

文章编号 :l 6 7 2 ― 5 4 6 8( 2 0 0 4 )0 5 ― 0 o l 2 ― o 4  

VDD-t o -VS S   ES D  p r o t e c t i o n   c i r c u i t   d e s i g n   i n   CM OS   I C 
YAO  We i - l i a n ,S UN   We i - f e n g,WU  J i a n - h u i  

( N a t i o n a l   A S ……
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