功率场效应晶体管MOSFET详解

选择正确的MOSFET：工程师所需要知道的
选择正确的MOSFET：工程师所需要知道的

作者：飞兆半导体公司 Jonathan Harper 和Enrique Rodriguez


随着制造技术的发展和进步，系统设计人员必须跟上技术的发展步伐，才能为其设计挑
选最合适的电子器件。MOSFET是电气系统中的基本部件，工程师需要深入了解它的关键
特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及
开关性能指标来选择正确的MOSFET。


MOSFET的选择


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MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。当在N沟
道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。导通时，电流可经开关从漏极流
向源极。漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。必
须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。如果栅极为悬
空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，
导致系统产生潜在的功率损耗。当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止
通过器件。虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电
流，即IDSS。


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第一步：选用N沟道还是P沟道


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为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。在典型的功率应用中
，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。在
低压侧开关中，应采用N沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当M
OSFET连接到总
线及负载接地时，就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出
于对电压