S波段单片四位数控移相器

S波段单片四位数控移相器第19卷　第2期
1999 年 5 月

　　 　　　

Vol . 19, N o. 2 固体电子学研究与进展 　　　　　　 M ay, 1999 R ESEA RCH & PRO GR ESS O F SSE

S 波段单片四位数控移相器
沈　亚　陈继义　陈堂胜　陈效建　林金庭
( 南京电子器件研究所, 210016)
19980427 收稿, 19980602 收改稿

提要　描述了 S 波段单片四位数字移相器的电路设计、 工艺制作和性能。 采用集总元件的高 通 低通网络构成移相网络和 GaA s M ESFET 作为开关控制器件, 利用南京电子器件研究所标准 的离子注入微波单片集成电路 (MM IC ) 制造工艺, 研制出 S 波段单片四位数字移相器。 该移相器在 )、 设计工作频带内 16 个移相态具有移相精度高 ( 均方根误差小于 1° 输入输出驻波好 ( < 1. 4) 和较 低的插入损耗 ( < 5. 5 dB ) 与插损变化 ( 均方根误差小于 0. 2dB ) 等优良的电特性。芯片尺寸为 6. 45
mm ×1. 4 mm ×0. 2 mm 。

关键词: 微波单片集成电路　四位　移相器 中图分类号: TN 386. 3　TN 305. 3

S- band Four- b it MM IC Pha se Sh if ter
Shen Ya 　Chen J iy i　Chen T ang sheng 　Chen X iao jian 　L in J in t ing
(N anj ing E lectron ic D ev ices Institu te, 210016, CH N )

Abstract: T he design, fab rica t ion and p erfo rm ance of a 42b it GaA s m ono lit