资料介绍
S波段单片低噪声放大器第 34 卷第 1 期 2004 年 1 月
东南大学学报 (自然科学版)
J OURNAL OF SOU THEAST UN IV ERSIT Y (Natural Science Edition)
Vol134 No 11 J an. 2004
S 波段单片低噪声放大器
彭龙新1 ,2 李建平2 蒋幼泉2 魏同立1
( 1 东南大学微电子中心 , 南京 210096) ( 2 南京电子器件研究所 , 南京 210016)
摘要 : S 波段单片低噪声放大器采用了 015 μm <3 英寸 ( 76. 2 mm) 砷化镓赝配高电子迁移率晶 体管工艺 ,由三级自偏电路构成 ,单电源 ( + 5 V ) 供电 . 对 3 英寸圆片上的放大器芯片进行直流测 试后 ,随机抽取一定数量的样品装架测量 , 并对放大器进行了增益和相位的统计 . 统计表明 : 在
S 波段带宽 300 M Hz 范围内 , 增益在 2415 ～ 26 dB 范围内 , 相位线性度小于 1° ,相位偏差 ± 7° ,
噪声系数最大 114 dB , 输入输出驻波最大 114 , 1 dB 压缩输出功率大于 1015 dBm. 另外 ,还对 放大器进行了高温 、 低温环境试验和静电模拟和试验 . 关键词 : 赝配高电子迁移率晶体管 ; 微波单片集成电路 ; 单片低噪声放大器 ; 静电 中图分类号 : TN72213 文献标识码 : A 文章编号 : 1001 - 0505 ( 2004) 0120005205
S2band MMIC low noise amplif ier
Peng Longxin1 , 2 Li Jianping2 Jiang Youquan2 Wei Tongli1
( 1 Microelectronic Center
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