低频低噪声放大器的屏蔽设计

低频低噪声放大器的屏蔽设计第 30 卷第 4 期 　　　　　　　　　　　　　　　　　 电 子 工 程 师 　　　　　　　　　 　　　　　　　 Vol. 30 No. 4 　 2004 年 4 月 　ELECTRONIC ENGINEER 　 Apr. 2004

低频低噪声放大器的屏蔽设计
尹亚兰1 , 武 　 斌2
( 1. 海军工程大学南京分校 , 江苏省南京市 211800 ; 2. 海军工程大学 , 湖北省武汉市 430033)

【摘 　 要】 　 在简要介绍噪声及干扰的基础上 ,详细分析了屏蔽的基本原理 ,进而提出一种多层屏 蔽设计方法 。在该测试系统中 ,选用 6 层屏蔽盒 ,屏蔽盒材料由外到内分别是铜和铁 。实验测试表明 , 该方法抗干扰能力强 ,它为低频低噪声放大器的可靠使用和精确测量提供了保证 。 关键词 : 低频放大器 , 低噪声放大器 , 干扰 , 屏蔽 中图分类号 : TN722. 3

0　 引　 言
在电磁环境复杂的今天 , 各种电子设备对接收信 号的灵敏度要求越来越高 , 尤其是低频系统问题更加 突出 。因此 ,研制低噪声的前级电压放大器是十分必 要的 。另外 ,在实际应用中 ,还必须考虑如何保证放大 器工作的可靠有效和测量的真实精确 。合理的屏蔽结 构设计是解决上述问题的有效手段之一 。

屏蔽按电磁场的性质 ,可分为电场屏蔽 ( 即屏蔽电 容性干扰) 和磁场屏蔽 ( 即屏蔽电感性干扰) 。 2. 1 　 电场屏蔽 电场屏蔽的目的是消除两个电路之间由于分布电 容耦合所产生的电场干扰 。可以利用图 1 所示的等效 电路来分析电场屏蔽的基本原理 。 在图 1 ( a) 中 ,干扰源 A 对地电位为 UA ,接收器上 电压为 UB ,空间耦合电容为 CAB 和 CB G ,则
UB = CAB U CAB + CB G A ( 1)

1　 噪声和干扰
在电子技术中 ,