大功率微波功放集成工艺探讨

大功率微波功放集成工艺探讨

大功率微波功放集成工艺探讨

信息产业部29所 陆吟泉 胡蓉

摘要
本文试图探讨大功率微波功放的集成工艺，分析了CrSi-Cr-Cu-Ni-
Au系薄膜工艺的优缺点和大功率功放的微组装工艺。
一、前言

　自六十年代以来，厚薄膜混合集成工艺迅速发展，已广泛应用于电子、通讯、汽车、
军事等领域，在这四十年的发展中，厚膜、薄膜混合集成电路工艺和集成、封装工艺也
日趋成熟。厚膜走过了单层电路并发展为多层厚膜和低温共烧（LTCC），薄膜则发展为
不同的多层薄膜电路和几种相对稳定的工艺体系，其中TaN-TiW-
Au系薄膜应用十分广泛；NiCr-Au、Cr-Au系薄膜工艺简单而稳定；CrSi-Cr-Cu-Ni-
Au系薄膜工艺相对其它薄膜工艺而言，是以Cu为主要导体层具有鲜明的特色。虽然其薄
膜电路制作工艺流程长、工序复杂，但是其产品成本低、电性能、微波性能优良且组装
时与锡钎焊工艺兼容，特别适合于大功率微波功放等微波器件。微波功放的组装不仅需
满足其微波特性，而且必须确保产品的可靠性，因此在组装时必须解决功放管芯的散热
，内引线的可靠连接和气密性封装。
二、功放的薄膜电路制作工艺
2．1 薄膜典型工艺流程

　薄膜电路工艺一般采用先激光打孔；然后蒸发、溅射、沉积等方法制作电阻层、过渡
层、导体层；光刻后电镀加厚，或先图形电镀后再光刻等方法实现光化学转移图形制作
；最后采用激光或砂轮切割等方法分割电路。
2．2 功放薄膜电路工艺
目前，在薄膜电路中应用最广泛的导体材料是金（Au），金不仅具有优良导电性、
导热性，而