HEMT 功率放大器

AlGaNGaN HEMT功率放大器设计设计与开发

ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ　 功率放大器设计
林锡贵，郝跃，冯倩，张进城
（西安电子科技大学微电子研究所，宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室， 西安　７１００７１）
摘要：在小信号 Ｓ 参数不适于微波功率放大器的设计而大信号 Ｓ 参数不易获得的情况下，利用 Ａ Ｄ Ｓ 软 件，采用负载牵引法和输入端共轭匹配，成功的设计出 Ａ ｌ Ｇ ａ Ｎ ／ Ｇ ａ Ｎ 　 Ｈ Ｅ Ｍ Ｔ 　 微波功率放大器。为了解决 晶体管端口出现负阻的问题，设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法，最后得到理想的结果为： 工作绝对稳定，带宽 ３ ． ６ Ｇ Ｈ ｚ ～８ ． ０ Ｇ Ｈ ｚ ， 最高增益 １ １ ． ０ ４ ｄ Ｂ ， 最大输出功率 ３ ３ ｄ Ｂ ｍ ，最大 Ｐ Ａ Ｅ 达到 ２ ９ ． ２ ％， 电压驻波比较小。 关 键 词： 高 电 子 迁 移 率 场 效 应 晶 体 管 ； 功 率 放 大 器 ；Ａ Ｄ Ｓ 负 载 牵 引； 共 轭 匹 配 中图分类号：ＴＮ３８６；ＴＮ７２２．７ ＋５　　　文献标识码：　Ａ　　　　文章编号：１００３－３５３Ｘ（２００６）０１－００５２－０４

Ｄｅｓｉｇｎ　ｏｆ　ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ　Ｐｏｗｅｒ　Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ
ＬＩＮ　Ｘｉ－ｇｕｉ，ＨＡＯ　Ｙｕｅ，ＦＥＮＧ　Ｑｉａｎ，Ｚｈａｎｇ　Ｊｉｎ－ｃｈｅｎｇ
　（ Ｋｅｙ　Ｌａｂ　ｏｆ　Ｍｉｎｉｓｔｒｙ　ｏｆ　Ｅｄｕｃａｔｉｏｎ　ｆｏｒ　Ｗｉｄｅ　Ｇａｐ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　ａｎｄ　Ｄｅｖｉｃｅｓ，　Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ　ｏｆ Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，　Ｘｉｄｉａｎ　Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，　Ｘｉ’ ａｎ 　７１００７１， Ｃｈｉｎａ ）

Ａｂｓｔｒａｃｔ：　Ａｎ　ＡｌＧａＮ／ＧａＮ　ＨＥＭＴ　ｍｉｃｒｏｗａｖｅ　ｐｏｗｅｒ　ａｍｐ