微波FET低噪声放大器的设计流程

微波FET低噪声放大器的设计流程
微波FET低噪声放大器的设计流程

一 选择电路形式
1. 单端式
2. 平衡式
二、选管

工作频率≤2GHz选用双极型晶体管
2GHz≤工作频率≤4GHz选用双极型晶体管或选用GaAs微波FET
工作频率≥4GHz选用GaAs微波FET


3. 放大器的级数的估算
级数N≥要求的总的增益Gt/单级的增益Gu


4. 输入输出匹配网络设计

1、判定微波FET在工作的频率上是处于绝对稳定还是潜在不稳定状态。
判定条件：① 1-|S11|²>|S12*S21|
② 1-|S22|²>|S12*S21|
③ Ks=(1-|S11|²-|S22|²+|Ds|²)/(2|S12*S21|)>1
其中(Ds=S11*S22-S12*S21)





2. 稳定情况下的设计





























































因为微波FET在工作的频率上是处于绝对稳定，可以任意选择Γs和ΓL。
①输入匹配网络设计
为了获得最小的噪声系数，选择Γs为最小值，即Γs=Γsopt。
取Γs0=0,
ΓL0=0，求出微带线归一化长度值L1、并联开路支节的归一化线长值L1´。
如下图所示：
[pic]