应用与GPS前端的CMOS低噪声放大器的研究与设计

应用与GPS前端的CMOS低噪声放大器的研究与设计第 31 卷 ,第 4 期 　 Vol. 31 ,No . 4

微　电　子　技　术
MICROEL ECTRONIC TECHNOLOGY

总第 152 期 2003 年 8 月

　 设计与制造

应用与 GPS 前端的 CMOS 低噪声放大器的 研究与设计
袁小云
( 西安交通大学微电子研究所 ,西安 　 710049)

摘　 要: 　 随着特征尺寸的不断减小 ,MOS 器件已经能够在 900M Hz～215 GHz 这个频段工作 。本 μm CMOS 工艺实现的用于 GPS 接收机的单片低噪声放大器 , 在信号频率 文介绍了一个采用 015 为 11575 GHz 时 ,信号放大增益为 19dB ,噪声系数 ( N F) 为 6dB ,功耗为 12mW 。 关键词 : 　 低噪声放大器 ; 噪声系数 ; 阻抗匹配 中图分类号 : TN72213 　　 文献标识码 :A 　　 文章编号 :1008 - 0147 ( 2003) 04 - 19 - 04

Design of CMOS L NA Appl ied to GPS Receiver
YUAN Xiao - yun
( I nstit ute of M icroelect ronics , Xi ’ an J iaotong U ni versity , Xi ’ an , 710049 , Chi na )

Abstract : Wit h t he scaling - down of t he t ransistor ,MOSFET devices are able to operate in t he band

μm CMOS technology , between 900M Hz and 215 GHz. In t his paper ,it is described t hat based