LO相噪和杂散对前向链路EVM等的影响--良心谴责的发布中兴...

LO相噪和杂散对前向链路EVM等的影响
LO相噪和杂散对前向链路EVM等的影响
【摘要】
LO电路的设计一直是通信系统的重点，难点。LO的相位噪声，杂散，幅度，稳定性，
驱动能力等在通信电路设计中都有特殊的要求。本文要描述的是LO通路的相位噪声和杂
散对前向通路的EVM，SNR等指标的影响。
LO：本振；EVM：矢量误差幅度；SNR：信噪比；PLL：锁相环。

问题的提出

LO通路设计最关键的指标就是相位噪声（简称“相噪”）和杂散。相噪和杂散与使用的
PLL IC，环路滤波器等紧密相关。
对于较低频率（小于1GHz）的LO电路，由于此时射频频率的分频比N不是很大，可以
选用整数形式的PLL
IC（如NS的LMX2326），可以获得较好的相位噪声和鉴相杂散等指标；对于较高频率（大
于1GHz），随着分频比N的增加，整数形式的PLL
IC的噪声水平将很差，此时为了获得好的噪声水平，就要采用小数分频的PLL
IC（如ADI公司的ADF4153），提高鉴相频率，减少分频比，但是小数分频PLL的“鉴相”杂
散（这里为整数分频里的概念）会比较难以控制，设计时要重点考虑。
实际应用中，相噪的设计不是越小越好，而是要满足一定的要求。对于前向来说，L
O的噪声和杂散会影响到EVM，SNR，相位波动等指标；对于反向来说，会影响到灵敏度，
单音去敏等指标。本文只定量分析LO噪声和杂散对前向链路EVM和SNR的影响。

解决思路

解决思路我们是首先从理论上分析LO噪声和杂散对EVM等指标的影响，其次通过实验
测试不同噪声或杂散的LO对前向链路EVM的影响情况，最后对理论分析和实测数据进行对
比分析，找出对实际应用中有用的理论，以及分析和实验方法。
1. LO噪声和杂散对前向链路EVM影响的理论公式
在相位噪声对星座图的影响不大的情况下，EVM的计算有一个近