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求助放大器外围电路设计

资料介绍
NE5520379A-T1A3.2 V, 3 W, L/S BAND NE5520379A MEDIUM POWER SILICON LD-MOSFET
FEATURES
LOW COST PLASTIC SURFACE MOUNT PACKAGE HIGH OUTPUT POWER: +35.5 dBm TYP HIGH LINEAR GAIN: 16 dB TYP @ 915 MHz
5.7 Max 0.6
求助放大器外围电路设计
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