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偏置设计

资料介绍
偏置设计RF
A RF RF IC DMOS (LDMOS) MOSFET GaN FET HFET SiC AB A

RF DC RF AB

28V AB

360° RF AB RF A

LDMOS
LDMOS

RF
RF RF (Iout) ( RF ( ) ( 360°C MOSFET ( A ) A DC
LDMOS I vs. Vgs ACROSS TEMPERATURE
5.0 4.5 28V 4.0 3.5 Id (A) AMPLIFIER INPUT 3.0 2.5 2.0 1.5 IOUT VRF RLOAD Id (A) @ +125°C Id (A) @ +25°C Id (A) @ -40°C

LDMOS RF LDMOS 1) LDMOS K FET LDMOS )

RF

LDMOS K V th

Iout = K (Vgs - Vth) 2 Vth 2 AB A

VBIAS

+

1.0 0.5 0 3.0 3.5 4.0 Vgs (V) 4.5 5.0

1.

DC

LDMOS
18

2.

LDMOS

DS1847
3 LDMOS IC LDMOS LDMOS )

A

AB
H1

REF02 28V

DS1847 DS1847 256
LOOKUP TABLE

DS1847
DATA CLOCK TEMP H0

IOUT RLOAD

L1

2(

L0 VRF

2003 Development

11

Wireless Design &

3.

DS1847

LDMOS

19

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