介质滤波器

厚膜EMI滤波器用X7R介质瓷料的研究第 34 卷 2005 年

第5期 5月

稀有金属材料与工程
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING

Vol.34, No.5 May 2005

厚膜 EMI 滤波器用 X7R 介质瓷料的研究
李玲霞，郭 炜，吴霞宛，王洪儒，张志萍，余昊明
(天津大学，天津 300072) 摘 要： 利用先驱体 NiNb2O 6 与 MnNb2O6 掺杂法改性 BaTiO3 系统。由于 2 种先驱体可以有效地起到展宽与移峰效应，

使系统居里峰在室温附近取得最大值，在 1 290℃烧结时介电常数达到 5 000 以上，容量变化率Δ C/C ≤±15%；在系统 中加入适量助熔剂可以实现中温烧结（ 1 150℃） ，介电常数大于 3 600，容量变化率Δ C /C≤±12%，满足 X7R 特性要 求，可用于厚膜 EMI 滤波介质瓷料的制备。 关键词： 先驱体； NiNb2O6； MnNb2O6； EMI；滤波 中图法分类号： TG 0614.33 文献标识码： A 文章编号： 1002-185X(2005)05-0764-04

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引

言

料加入助熔剂后，会使介电常数明显下降，所以制备 高介热稳定型瓷料便成为首要目标。常规的陶瓷电介 质如 BaTiO3 系统材料的烧结温度较高，需使用熔点 高、难氧化、具有低电阻值的金属材料作为内电极材 料，故一般选取价格较便宜的银钯（ 70%Ag/30%Pd） 电极。 本实验用先驱体掺杂法合成 NiNb2O6- MnNb2O6BaTiO3 系统，并添加适量助熔剂使系统产生液相烧结 从而降低烧结温度，得到中温烧结高介 X7R 陶瓷材 料， 尤其适用于制备厚膜 EMI 陶瓷电容滤波器用介质 浆料。

利用 MLC 介质陶瓷材料的低损耗、高介电常数、 频率温度系数和热膨胀系数小、可承受高功率等特点 设计制作的 EMI