MOS电容器对小信号响应的最值分析

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数

理

译

丛　

第 １ 瑚　

Ｍ ＯＳ电 容 器 对 小 信 号 响应 的数 值 分 析　
ＭＩ ＣＨ ＡＥＬ　ＧＡＩ ＴＡＮ　Ａ ＮＤ 　Ｉ Ｓ ＡＡＫ　Ｄ ． Ｍ ＡＹＥＲＧＯＹ Ｚ　

摘　

要　

本 文 叙 述 了利 用基 本 半导 体 方 程 的 时 间微 扰 分 析 对 Ｍ ＯＳ电客 器 的 小 信 号 正　 ； 玄 稳 态 响应 进 行 模 拟 的蛄 果 。 包括 表 面 和体 陷 阱 动 态 致 应 。 所 建 立 的模 型 使 用 了 　

描 述稿 阱的 费米一狄喇克 统计 和 肖克 莱一 瑞德一霍 尔复合机理 ． 由于这种分析 方　 法 能模拟具有任 意形状、 杂质和 陷阱分 布的半导体 器件的小信号正 弦稳 态响应 所　 受 到的 陷阱动力 学影响， 所以它较之先前 的技 术曩 一种改进． 　
引 言　

过 去一直 应 用数 血技术 求解 ＭＯ Ｓ电容器 的 小信号 正弦稳 态响应 ．Ｔ ｅ ｍｐ ｌ ｅ ［ １ ］ 曾捉 ： Ｉ 『 　
了一种求解 方法， 此法 基于 Ｓ ａ ｈ ［ ２ ］ 捉ｆ ｆ ｊ 的器件传输线模 型。该模 型包括艄 肼动力学、温度　 和杂质　 的跫 ； 响。Ｆ ｏ ｒ ｔ ｉ ｎ ｏ ［ ３ ］ 使 用瞄￣ １ ￣ （ ｓ ｈ ｏ ｏ ｔ ｉ ｎ 曲技术也 从事求解小信号 方程 的工作 。这项　 技术包 括半 导体材料 的复合 ．然而 ，使用第一个原理 ，却 导不出蹈阱 动态 解．这些　 期 帕　 技 术 通 用 于 解 特 殊 问 题 ， 不 易 解 任 意形 状 器 件 的 问 题 ． 　
最 近 这 方 而 的 工 作 已接 近 报 普 通 的 技 术 ，这 种技 术 不 再受 特 定 的 器 件 形 状 的　 制 ．人　 们