资料介绍
关于内存SDRAM和DDRSDRAM简述的不错文章1、认识内存相关工作流程与参数 首先，我们还是先了解一下内存的大体结构工作流程，这样会比较容量理解 这些参数在其中所起到的作用。这部分的讲述以 SDRAM 为例，因为时序图看起来 会简单一些，但相关概念与 DDR SDRAM 的基本相同。 SDRAM 的内部是一个存储阵列，将数据“填”进去，你可以它想象成一张表格。 和表格的检索原理一样，先指定一个行（Row） ，再指定一个列（Column） ，我们 就可以准确地找到所需要的单元格， 这就是内存芯片寻址的基本原理。 对于内存， 这个单元格可称为存储单元,那么这个表格（存储阵列）叫什么呢？它就是逻辑 Bank（Logical Bank，下文简称 L-Bank） 。
SDRAM 内部 L-Bank 示意图，这是一个 8X8 的阵列，B 代表 L-Bank 地址编号， C 代表列地址编号，R 代表行地址编号。如果寻址命令是 B1、R2、C6，就能确定 地址是图中红格的位置。 目前的内存芯片基本上都是 4 个 L-Bank 设计，也就是说一共有 4 个这样的 “表格”。寻址的流程也就是――先指定 L-Bank 地址，再指定行地址，然后指 列地址最终的确寻址单元。
在实际工作中，L-Bank 地址与相应的行地址是同时发出的，此时这个命令 称之为“行有效”或“行激活”（Row Active） 。在此之后，将发送列地址寻址 命令与具体的操作命令（是读还是写） ，这两个命令也是同时发出的，所以一般 都会以“读/写命令”来表示列寻址。根据相关的标准，从行有效到读/写命令发 出之间的间隔被定义为 tRCD，即 RAS to CAS Delay（RAS 至 CAS 延迟，RAS 就是 行地址选通脉冲，CAS 就是列地址选通脉冲） ，大家也可以理解为行选通周期。 tRCD 是 SDRAM 的一个重要时序参数， 可以通过主板 BIOS 经过北桥
我要上传