共源串联反馈式介质振荡器的设计 all free

共源串联反馈式介质振荡器的设计
共源串联反馈式介质
振荡器的设计
[摘要]
本文描述了应用介质谐振器稳频的共源串联反馈式介质振荡器的设计方法，稳频原理及
结构。根据理论，实际制作的X波段的具有较高频率稳定度的振荡器，经过测试，设计满
足要求，工作稳定可靠。
1.引言

介质稳频FET振荡器是利用微波介质谐振器作为高Q腔，对FET振荡器进行稳频的振荡器，
通常简称为DRO。它在1GHz到几十GHz的频率范围内，可以直接产生所需的振荡频率，而
不需要倍频，具有体积小，结构简单的特点。低损耗介质谐振材料已有很大进展，介质
谐振器Q值已接近金属空腔谐振器。因此，振荡器的相位噪声较低，介质振荡器的温度系
数很容易控制，可以与FET电路互相补偿，使介质振荡器具有很高的频率稳定度。因此，
介质振荡器已广泛用于各类微波系统中。
2.振荡器的设计

介质稳频FET振荡器，具有共栅极、共源极及共漏极三种振荡电路形式。高Q介质腔作为
振荡电路中的一个元件，也可以作为反馈电路元件和振荡电路负载的一部分。根据DR对
振荡电路的不同耦合方式和所起的作用通常有三种电路来实现：输出反射式、环路反馈
式、栅极耦合式。
2.1设计框图

设计框图如图1所示。这类振荡器可以视为具有正反馈的FET放大器，其DR作为确定频率
的正反馈元件。介质谐振器放置在漏极与栅极之间，其主模TE01δ同这两根微带线产生耦
合。
作为三端口器件，FET的结构示于图2，其入射波和反射波的S矩阵给出为：


图1.串联反馈的结构