资料介绍
芯片级封装简述
第二阶段是80年代的表面安装器件时代，其代表时小外形封装（SOP）和扁平封装（QFP
）他们大大的提高了管脚数目和组装密度，是封装技术的一次革命，正是这类技术支持
着日本半导体工业的繁荣，其周边引线的节距为公制（1.0，0.8，0.65，0.5，0.4mm）
，并且确定了80%的收缩原则，这些封装的设计概念和DIP不同，其封装体的尺寸固定而
周边的引线节距
根据需要而变化，其最大引线数达到300，安装密度达到10-
50脚/平方厘米，这个时期也是金属引线塑料封装的黄金时代。
第三个阶段是90年代的焊球阵列封装（BGA）/芯片尺寸封装（CSP）时代，日本的半
导体工业在80年代一致领先于美国，而90年代后美国超过了日本，占据了封装技术的主
导地位，他们加宽了引线节距，并采用了独步安装引线的BGA封装，BGA的引线节距主要
有1.5mm和1.27mm两种，引线节距的提高极大的促进了安装技术的进步和生产效率的提高
，BGA封装的安装密度大约是40-
60脚/平方厘米，随后日本将BGA的概念用于CSP，开发了引线节距更小的CSP封装，其引
线节距可以小到1.0mm以下。
封装业界普遍预测21世纪的头十年将迎来微电子封装技术的第四个发展阶段-
3D叠层封装时代，其代表性的产品将是系统级封装（SIP：System In a
Package）,他在封装概念上发生了革命性的变化，从原来的封装元件演变成封装系统，
SIP实际婚丧就是一系统基的多芯片封装，它是将多个芯片和可能的无源器件集成在同一
封装内，形成具有系统功能的模块，因而可以实现较高的性能密度，更高的集成度，更
小的成本和更大的灵活性，与第一代封装相比，封装效率提高了60-
80%，使电子设备体积减小1000倍，性能提高10倍，成本降低90%，可靠性增加10倍。
1 DIP 双列直插式封装
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