MOSFET datasheet参数理解及其主要特性

MOSFET datasheet参数理解及其主要特性
MOSFET datasheet参数理解及其主要特性
下文主要介绍 mosfet 的主要参数，通过此参数来理解设计时候的考量
一、场效应管的参数很多，一般 datasheet 都包含如下关键参数：
1 极限参数：
ID
：最大漏源电流。是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管
的工作电流不应超过 ID 。此参数会随结温度的上升而有所减额。
IDM ：最大脉冲漏源电流。此参数会随结温度的上升而有所减额。
PD
：最大耗散功率。是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场
效应管实际功耗应小于 PDSM
并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。
VGS ：最大栅源电压。
Tj ：最大工作结温。通常为 150 ℃ 或 175 ℃
，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。
TSTG ：存储温度范围。
2 静态参数
V(BR)DSS ：漏源击穿电压。是指栅源电压 VGS 为 0
时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上
的工作电压必须小于 V(BR)DSS 。
它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。
△ V(BR)DSS/ △ Tj ：漏源击穿电压的温度系数，一般为 0.1V/ ℃。
RDS(on) ：在特定的 VGS （一般为 10V ）、结温及漏极电流的条件下， MOSFET
导通时漏源间的最大阻抗。它是一个非常重要的参数，决定了 MOSFET
导通时的消耗功率。 此参数一般会随结温度的上升而有所增大。
故应以此参数在最高工作结温条件下的值作为损耗及压降计算。
VGS(th) ：开启电压（阀值电压）。当外加栅极控制电压 VGS 超过 VGS(th)
时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下 ID
等于 1 毫安时的栅极电