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发_光_二极管失效分析
发光二极管失效分析
１ 引言
和半导体器件一样，发光二极管（ＬＥＤ）早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分
，是提高ＬＥＤ可靠性的积极主动的方法。ＬＥＤ失效分析步骤必须遵循先进行非破坏
性、可逆、可重复的试验，再做半破坏性、不可重复的试验，最后进行破坏性试验的原
则。采用合适的分析方法，最大限度地防止把被分析器件（ＤＵＡ）的真正失效因素、
迹象丢失或引入新的失效因素，以期得到客观的分析结论。针对ＬＥＤ所具有的光电性
能、树脂实心及透明封装等特点，在ＬＥＤ早期失效分析过程中，已总结出一套行之有
效的失效分析新方法。
２ ＬＥＤ失效分析方法
２.１ 减薄树脂光学透视法
在ＬＥＤ失效非破坏性分析技术中，目视检验是使用最方便、所需资源最少的方法，具
有适当检验技能的人员无论在任何地方均能实施，所以它是最广泛地用于进行非破坏检
验失效ＬＥＤ的方法。除外观缺陷外，还可以透过封装树脂观察内部情况，对于高聚光
效果的封装，由于器件本身光学聚光效果的影响，往往看不清楚，因此在保持电性能未
受破坏的条件下，可去除聚光部分，并减薄封装树脂，再进行抛光，这样在显微镜下就
很容易观察ＬＥＤ芯片和封装工艺的质量。诸如树脂中是否存在气泡或杂质；固晶和键
合位置是否准确无误；支架、芯片、树脂是否发生色变以及芯片破裂等失效现象，都可
以清楚地观察到了。
２.２ 半腐蚀解剖法
对于ＬＥＤ单灯，其两根引脚是靠树脂固定的，解剖时，如果将器件整体浸入酸液中，
强酸腐蚀祛除树脂后，芯片和支架引脚等就完全裸露出来，引脚失去树脂的固定，芯片
与引脚的连接受到破坏，这样的解剖方法，只能分析ＤＵＡ的芯片问题，而难于分析Ｄ
ＵＡ引线连接方面的缺陷。因此我们采用半腐蚀解剖法，只将ＬＥＤＤＵＡ单灯顶部浸
入酸液中，并精确控制腐蚀深度，去除ＬＥＤＤＵＡ单灯顶部的树脂，保留底部树脂，
使芯片和支架引脚等完全裸露出来，完好保持引线
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