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发光二极管失效分析

资料介绍
发光二极管失效分析
发光二极管失效分析
1 引言
和半导体器件一样,发光二极管(LED)早期失效原因分析是可靠性工作的重要部分
,是提高LED可靠性的积极主动的方法。LED失效分析步骤必须遵循先进行非破坏
性、可逆、可重复的试验,再做半破坏性、不可重复的试验,最后进行破坏性试验的原
则。采用合适的分析方法,最大限度地防止把被分析器件(DUA)的真正失效因素、
迹象丢失或引入新的失效因素,以期得到客观的分析结论。针对LED所具有的光电性
能、树脂实心及透明封装等特点,在LED早期失效分析过程中,已总结出一套行之有
效的失效分析新方法。
2 LED失效分析方法
2.1 减薄树脂光学透视法
在LED失效非破坏性分析技术中,目视检验是使用最方便、所需资源最少的方法,具
有适当检验技能的人员无论在任何地方均能实施,所以它是最广泛地用于进行非破坏检
验失效LED的方法。除外观缺陷外,还可以透过封装树脂观察内部情况,对于高聚光
效果的封装,由于器件本身光学聚光效果的影响,往往看不清楚,因此在保持电性能未
受破坏的条件下,可去除聚光部分,并减薄封装树脂,再进行抛光,这样在显微镜下就
很容易观察LED芯片和封装工艺的质量。诸如树脂中是否存在气泡或杂质;固晶和键
合位置是否准确无误;支架、芯片、树脂是否发生色变以及芯片破裂等失效现象,都可
以清楚地观察到了。
2.2 半腐蚀解剖法
对于LED单灯,其两根引脚是靠树脂固定的,解剖时,如果将器件整体浸入酸液中,
强酸腐蚀祛除树脂后,芯片和支架引脚等就完全裸露出来,引脚失去树脂的固定,芯片
与引脚的连接受到破坏,这样的解剖方法,只能分析DUA的芯片问题,而难于分析D
UA引线连接方面的缺陷。因此我们采用半腐蚀解剖法,只将LEDDUA单灯顶部浸
入酸液中,并精确控制腐蚀深度,去除LEDDUA单灯顶部的树脂,保留底部树脂,
使芯片和支架引脚等完全裸露出来,完好保持引线……
标签:发光二极管失效分
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