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三极管的电流放大原理
三极管的电流放大原理
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：储管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除
了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
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图一:晶体三极管（NPN）的结构
图一是NPN管的结构图，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，从图可见
发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的
PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零
点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态
，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄
，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正确，发射区的多
数载流子（电子）极基区的多数载流子（控穴）很容易地截越过发射结构互相向反方各
扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子
流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集
电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-
10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，
从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得： Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所
谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即： β1=Ic/Ib 式中：β--
称为直流放大倍数， 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β=
△Ic/△Ib 式中β--
称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大
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