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三极管的n多介绍(免费)

资料介绍
三极管的电流放大原理
三极管的电流放大原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:储管和硅管。
而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管,两者除
了电源极性不同外,其工作原理都是相同的,下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
[pic]
 图一:晶体三极管(NPN)的结构


图一是NPN管的结构图,它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成,从图可见
发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的
PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。当b点电位高于e点电位零
点几伏时,发射结处于正偏状态,而C点电位高于b点电位几伏时,集电结处于反偏状态
,集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
      
在制造三极管时,有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的,同时基区做得很薄
,而且,要严格控制杂质含量,这样,一旦接通电源后,由于发射结正确,发射区的多
数载流子(电子)极基区的多数载流子(控穴)很容易地截越过发射结构互相向反方各
扩散,但因前者的浓度基大于后者,所以通过发射结的电流基本上是电子流,这股电子
流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏,注入基区的电子大部分越过集
电结进入集电区而形成集电集电流Ic,只剩下很少(1-
10%)的电子在基区的空穴进行复合,被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给,
从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得: Ie=Ib+Ic
这就是说,在基极补充一个很小的Ib,就可以在集电极上得到一个较大的Ic,这就是所
谓电流放大作用,Ic与Ib是维持一定的比例关系,即: β1=Ic/Ib 式中:β--
称为直流放大倍数, 集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为: β=
△Ic/△Ib 式中β--
称为交流电流放大倍数,由于低频时β1和β的数值相差不大……
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