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MOSFET的工作原理

资料介绍
MOSFET的工作原理
MOSFET的工作原理
MOSFET的原意是:MOS(Metal Oxide
Semiconductor金属氧化物半导体),FET(Field Effect
Transistor场效应晶体管),即以金属层(M)的栅极隔着氧化层(O)利用电场的效应
来控制半导体(S)的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(Metal
Oxide Semiconductor FET),简称功率MOSFET(Power
MOSFET)。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(Static Induction
Transistor——SIT)。其特点是用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动
功率小,开关速度快,工作频率高,热稳定性优于GTR,但其电流容量小,耐压低,一般
只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
2.功率MOSFET的结构和工作原理
功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽
型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅
极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。
2.1.功率MOSFET的结构
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示;其导通时只有一种极性的载流子(多
子)参与导电,是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同,但结构上有较大区别,
小功率MOS管是横向导电器件,功率MOSFET大都采用垂直导电结构,又称为VMOSFET
(Vertical [pic]MOSFET),大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
……
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MOSFET的工作原理
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