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MOSFET的工作原理
MOSFET的工作原理
MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide
Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect
Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极隔着氧化层（O）利用电场的效应
来控制半导体（S）的场效应晶体管。
功率场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型,但通常主要指绝缘栅型中的MOS型（Metal
Oxide Semiconductor FET）,简称功率MOSFET（Power
MOSFET）。结型功率场效应晶体管一般称作静电感应晶体管（Static Induction
Transistor——SIT）。其特点是用栅极电压来控制漏极电流，驱动电路简单，需要的驱动
功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR，但其电流容量小，耐压低，一般
只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。
2.功率MOSFET的结构和工作原理
功率MOSFET的种类：按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为；耗尽
型；当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道，增强型；对于N（P）沟道器件，栅
极电压大于（小于）零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
2.1.功率MOSFET的结构
功率MOSFET的内部结构和电气符号如图1所示；其导通时只有一种极性的载流子（多
子）参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，
小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET
（Vertical [pic]MOSFET），大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
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