肖特基二极管原理和常用参数和检测方法

肖特基二极管原理和常用参数和检测方法肖特基二极管原理
肖特基势垒二极管 SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近 年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小 到几纳秒），正向导通压降仅 0.4V 左右，而整流电流却可达到几千安培。这些 优良特性是快恢复二极管所无法比拟的。中、小功率肖特基整流二极管大多采用 封装形式。 基本原理是：在金属（例如铅）和半导体（N 型硅片）的接触面上，形成肖 特基势垒来阻挡反向电压。肖特基与 PN 结的整流作用原理有根本性的差异。其 耐压程度只有 40V 左右。其特长是：开关速度非常快：反向恢复时间特别地短。 因此，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 肖特基二极管（Schottky Barrier Diode)是具有肖特基特性的“金属半导体结” 的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除钨材料外，还可以采用金、钼、镍、 钛等材料。其半导体材料采用硅或砷化镓，多为 N 型半导体。这种器件是由多 数载流子导电的，所以，其反向饱和电流较以少数载流子导电的 PN 结大得多。 由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微， 所以其频响仅为 RC 时间常数 限制，因而，它是高频和快速开关的理想器件。其工作频率可达 100GHz。并且， MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二 极管。 肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。 它的主 要特点是具有较低的正向压降（0.3V 至 0.6V）；另外它是多子参与导电，这就 比少子器件有更快的反应速度。 肖特基二极管常用在门电路中作为三极管集电极 的箝位二极管，以防止三极管因进入饱和状态而降低开关速度 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A 为正极，以 N 型半导体 B 为负极， 利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导