资料介绍
晶体振荡电路设计中文版在该应用手册中，我们将讨论我们推荐给您的晶振电路设计方案，并解释电路中的各个元器件 的具体作用，并且在元器件数值的选择上提供指导。最后，就消除晶振不稳定和起振问题，我们还 将给出一些建议措施。
图 1. 晶振等效电路.
图 2. 晶振的电抗频谱线.
图1所示为晶振等效电路。R为ESR(串联等效阻抗)。L和C分别是晶振等效电感和等效电容。CP 是晶振的伴生电容，其极性取决于晶振的极性。图2所示为晶振的电抗频谱线。当晶振在串联谐振状 态下工作时，线路表现为纯阻性，感抗等于容抗(XL = XC)。串联谐振频率由下式给出
fS =
1 2π LC
当晶振工作在并联谐振模式时，晶振表现为感性。该模式的工作频率由晶振的负载决定。对于 并联谐振状态的晶振，晶振制造商应该指定负载电容CL。在这种模式下，振动频率由下式给出
fa = 2π L
1 CLCP CL + CP
晶振振荡电路设计
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应用手册
在并联谐振模式下，电抗线中fs到fa的斜线区域内，通过调整晶振的负载，如图2，晶振都可以 振荡起来。MX-COM所有的晶振电路都推荐使用并联谐振模式的晶振。 图3所示为推荐的晶振振荡电路图。这样的组成可以使晶振处于并联谐振模式。反相器在芯片内 体现为一个AB型放大器，它将输入的电量相移大约180° 后输出；并且由晶振，R1，C1和C2组成的 π型网络产生另外180°的相移。所以整个环路的相移为360°。这满足了保持振荡的一个条件。其它的 条件，比如正确起振和保持振荡，则要求闭环增益应≥1。 反相器附近的电阻Rf产生负反馈，它将反相器设定在中间补偿区附近，使反相器工作在高增益 线性区域。电阻值很高，范围通常在500K ~2M内。MXCOM的有些芯片内置有电阻，对于具体 的芯片，请参考其外部元器件选用说明书。
图 3. 晶振电路
对晶振来讲，C1 和 C2 组成负载
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