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线性电子电路教案_三极管(免费)

资料介绍
三极管线性电子电路教案

第二章

晶体三极管

知识要点: 双极型晶体管的埃伯尔斯-莫尔模型、小信号模型及其高频参数。 双极型晶体管的基本使用方法 晶体三极管是双极型器件(Bipolar Junction Transistor, BJT) ,由两个 PN 结组成,三个 中性区组成。引出三个电极分别为基极(Base) 、发射极(Emitter)、集电极(Collector)。三个 中性区分别为发射区、基区、集电区。发射区与基区之间部分称做发射结,基区与集电区之 间的部分称集电结。晶体三极管分 PNP 和 NPN 型两种。结构示意及符号见图示。

1.1 放大模式下晶体三极管的工作原理
1.1.1 内部载流传输过程

双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态: 发射结加正向电压,集电结加反向电压。现以 NPN 型三极管的放大状态为例,来说明三极 管内部的电流关系, 发射结加正偏时,从发射区将有大量的电子向基区扩散,形成的电流为 IEN。与 PN 结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动,但其数量小,形成的电流为 IEP。 这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低,被复合的机会较少。又因基区很薄,在 集电结反偏电压的作用下,电子在基区停留的时间很短,很快就运动到了集电结的边上,进

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线性电子电路教案

入集电结的结电场区域,被集电极所收集,形成集电极电流 ICN。在基区被复合的电子形成 的电流是 IBN。 另外,因集电结反偏,使集电结区的少子形成漂移电流 ICBO。于是可得如下电流关系 式: IE= IEN+ IEP IC=ICN+ICn2+ICp=ICn1+ICBO ICBO=ICn2+ICp 总结两个结共同形成基极的电流 IB 应为: IB=IEP+(IEn-ICN)-ICBO 晶体管的三个……
标签:三极
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